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Feedback

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  • Op-amp 피드백
    • V=RRRR+RFVoutV_-=\frac{R_R}{R_R+R_F}V_{out}
    • Av(VinV)=VoutA_v(V_{in}-V_-)=V_out
    • AvVin=[1+RRRR+RFAv]VoutA_vV_{in}=[1+\frac{R_R}{R_R+R_F}A_v]V_{out}
    • VinVout=Av1+R2Av/(R1+R2)\therefore \frac{V_{in}}{V_{out}}=\frac{A_v}{1+R_2A_v/(R_1+R_2)}
  • Feedback 회로
    • Vs=Vi+kVoV_s=V_i+kV_o
    • Vo=AViVs=Vi(1+kAv)V_o=AV_i\rarr V_s=V_i(1+kA_v)
    • VoVs=Vs(1+kAv)\frac{V_o}{V_s}=\frac{V_s}{(1+kA_v)} : 피드백에 의해 Gain 감소
      • Gain이 무한대 11+K\rarr\frac{1}{1+K}(feedback 영향만 존재)
    • 입력 임피던스
      • Vi=IsRiV_i=I_sR_i
      • Is=ViRi=Vs(1+kAv)RiI_s=\frac{V_i}{R_i}=\frac{V_s}{(1+kA_v)R_i}
      • 입력저항이 (1+kAv)(1+kA_v)만큼 증가한 효과
    • 출력 임피던스 (V_s=0)
      • io=VoAViRo=Vx+kAvVxRo=(1+kAv)VoRoi_o=\frac{V_o-AV_i}{R_o}=\frac{V_x+kA_vV_x}{R_o}=\frac{(1+kA_v)V_o}{R_o}
      • 출력 임피던스가 1/(1+kAv)1/(1+kA_v)로 작아지는 효과

  • 2-port network
  • V1, V2, I1, I2V_1,\ V_2,\ I_1,\ I_2 중 2개의 값을 알면 나머지 값을 판단 가능
  • ex. 위의 1k를 R1R_1, 아래 1k를 R2R_2라고 할 때
    • I1, V2I_1,\ V_2를 알 때

    • [V1I2]\begin{bmatrix} V_1\\ I_2 \end{bmatrix} =[abcd]=\begin{bmatrix} a & b\\ c & d \end{bmatrix} [I1V2]\begin{bmatrix} I_1\\ V_2 \end{bmatrix}

    • a=V1I1V2=0, b=V1V2I1=0, c=I1I2V2=0, a=I2V2I1=0a=\frac{V_1}{I_1}|_{V_2=0},\ b=\frac{V_1}{V_2}|_{I_1=0},\ c=\frac{I_1}{I_2}|_{V_2=0},\ a=\frac{I_2}{V_2}|_{I_1=0}

    • a : V2V_2가 그라운드 a=R1R2\therefore a=R_1||R_2

    • b : I1I_1 영향 x (I1I_1이 들어가는 선과 R1R2R_1-R_2접점이 끊어졌다고 판단)
      b=R2R1+R2b=\frac{R_2}{R_1+R_2}

    • c : I1=V1R1R2, I2=V1R1I_1=\frac{V_1}{R_1||R_2},\ I_2=-\frac{V_1}{R_1}
      I2I1=R1R2R1\rarr\frac{I_2}{I_1}=-\frac{R_1||R_2}{R_1}

    • d : 1R1+R2\frac{1}{R_1+R_2}

  • 피드백회로 변환 (A=10,k=0.5)(A=10, k=0.5)
    • Vi=RiR1R2+RiViV_i'=\frac{R_i}{R_1||R_2+R_i}V_i
      Av=RiR1R2+RiAv\rarr A_v'=\frac{R_i}{R_1||R_2+R_i}A_v
    • R1, R2, Ri=1k, Av=10R_1,\ R_2,\ R_i=1k,\ A_v=10일 때 Av=20/36.67A_v'=20/3\simeq6.67
    • Af=Av1+kAvA_f=\frac{A_v}{1+kA_v}
      =6.671+6.67×0.51.54=\frac{6.67}{1+6.67\times0.5}\simeq1.54
    • Rif=1.5k×(1+kA)6kR_{if}=1.5k\times(1+kA)\simeq6k
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주파수 응답

주파수 응답

  • RC LPF 회로
    • 커패시터의 리액턴스 XC=1jwCX_C=\frac{1}{jwC}
    • 출력전압 Vo=1jwRCViV_o=\frac{1}{jwRC}V_i
    • 주파수가 증가함에 따라, Gain이 -3dB(혹은 1/21/\sqrt{2})가 되는 지점을 차단주파수라고 한다.
    • dB=20logAvdB=20log|A_v|
  • Common Emitter with Load C
    • Gain Av=gm(RCXC)=gmRC1+jwRCCA_v=-g_m(R_C||X_C)=\frac{-g_mR_C}{1+jwR_CC}
    • w=1RCCw=\frac{1}{R_CC}일 때 실수항 = 허수항이므로 AV=12|A_V|=\frac{1}{\sqrt{2}}
  • 입-출력 모두 커패시터 존재시(Common Source)
    • 입력 임피던스 Ri=(RSXCin)=Rs1+jwRsCinR_i=(R_S||X_{Cin})=\frac{R_s}{1+jwR_sC_{in}}
      \rarr차단주파수 win=1RsCinw_{in}=\frac{1}{R_sC_{in}}
    • 출력 임피던스 Ro=(RDXCL)=RD1+jwRDCLR_o=(R_D||X_{C_L})=\frac{R_D}{1+jwR_DC_L}
      \rarr차단주파수 win=1RDCLw_{in}=\frac{1}{R_DC_{L}}

Miller's Theorem

  • 임의의 소자 ZFZ_F의 양단의 Gain이 AvA_v일 때, 등가 소자로 나누어 해석 가능

    • Z1=ZF1Av, Z2=ZF11/AvZ_1=\frac{Z_F}{1-A_v},\ Z_2=\frac{Z_F}{1-1/A_v}
  • ZFZ_F를 통하는 전류 IIZ1, Z2Z_1,\ Z_2를 통하는 전류 I1, I2I_1,\ I_2와 동일해야 함

    • node 1의 전압이 V1V_1, node 2의 전압이 V2=AvV1V_2=A_vV_1일 때,
    • I=V1AvV1ZF=(1Av)V1ZFI=\frac{V_1-A_vV_1}{Z_F}=\frac{(1-A_v)V_1}{Z_F}
    • I1=V1Z1I_1=\frac{V_1}{Z_1}
    • I2=AvV1Z2I_2=\frac{A_vV_1}{Z_2}
    • 세 전류값이 모두 같으므로,
      Z1=ZF1Av, Z2Av=ZF1AvZ211/AvZ_1=\frac{Z_F}{1-A_v},\ \frac{Z_2}{A_v}=\frac{Z_F}{1-A_v}\rarr\frac{Z_2}{1-1/A_v}
  • 실제 BJT의 C-B, B-E / MOS의 G-D, G-S 사이에는 기생커패시턴스 Cμ, CπC_\mu,\ C_\pi가 존재

    • ex. Common Source
    • CπC_\piCμC\mu에 비해 영향이 거의 없으므로 무시
    • CμC_\mu는 각각 입력/출력 커패시턴스로 나뉨
    • MOS Gain Av=gmRDA_v=-g_mR_D이므로,
      Cin=CF1+gmRD, Cout=CF1+1/gmRDC_{in}=\frac{C_F}{1+g_mR_D},\ C_{out}=\frac{C_F}{1+1/g_mR_D}
    • 차단주파수 win=1Rs(1+gmRD)Cμ, wout=1RD(1+1/gmRD)Cμw_{in}=\frac{1}{R_s(1+g_mR_D)C_\mu},\ w_{out}=\frac{1}{R_D(1+1/g_mR_D)C_\mu}
    • 커패시턴스 증가로 C값이 증가하여 pole주파수가 감소하는 효과
  • ex. Common Base

    • Miller Effect에 의한 Cμ, CπC_\mu,\ C_\pi는 소신호 해석에서 VCV_C가 그라운드이므로 Miller effect 영향을 받지 않음
  • ex. Cascode

    • Q1 : Base 전압이 소신호 해석에서 그라운드되므로 Miller effect 없음
    • Q2 : CπC_\pi는 그라운드이므로 Miller effect 없음,
      노드 X-Y 해석시 Q1은 1/gm11/g_{m1}로 해석되므로, Gain Y/X=gm2gm1|Y/X|=-\frac{g_{m2}}{g_{m1}}가 되어 Gain이 거의 증폭되지 않아 Miller effect는 거의 일어나지 않음
  • Emitter Follower

    • CμC_\mu는 소신호 해석에서 그라운드이므로 Miller effect 없음
    • CπC_\pi는 Emitter Follower Gain이 거의 1이므로 Miller effect가 거의 없음
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차동 증폭기

 

차동 증폭기

  • 기존 증폭기의 문제점 : 입력에 포함된 노이즈 역시 증폭시킴
  • 차동 증폭기 Gain : Vout=Av(Vin1−Vin2)V_{out}=A_v(V_{in1}-V_{in2})
  • 차동 입력의 Bias가 달라지는 경우, 더 높은 Bias쪽으로 모든 전류가 흐르므로 증폭기 동작을 위해서는 Common Bias를 적용하여야 함
    • VC1=V+ΔVV_{C1}=V+\Delta V, VC2=V−ΔVV_{C2}=V-\Delta V
    • gm≡ΔICΔVBEg_m\equiv\frac{\Delta I_C}{\Delta V_{BE}}이고, IEEI_{EE}는 양 트랜지스터에 똑같이 분배되므로
      IC1=IE2+gmΔVI_{C1}=\frac{I_E}{2}+g_m\Delta V, IC2=IE2−gmΔVI_{C2}=\frac{I_E}{2}-g_m\Delta V
    • VX=VCC−IC1RCV_X=V_{CC}-I_{C1}R_C, VY=VCC−IC2RCV_Y=V_{CC}-I_{C2}R_C

Half Circuit

  • small-signal
  • P부분 양측 노드의 전압이 같으므로, Virtual Ground로 판단할 수 있음<b/r>
    • Vout1=−gmRCVin1V_{out1}=-g_mR_CV_{in1}, Vout2=−gmRCVin2V_{out2}=-g_mR_CV_{in2}
    • 차동 증폭 Gain Av=Vout1−Vout2Vin1−Vin2=−gmRCA_v=\frac{V_{out1}-V_{out2}}{V_{in1}-V_{in2}}=-g_mR_C
    • Common Bias를 갖는 차동 증폭기는 절반으로 나누어서 더 편하게 해석할 수 있음을 알 수 있다.

  • ex.
    • Half-circuit 해석 시 R1, R2는 분리
    • Q3은 ror_o로 해석
    • ∴Av=−gm1[ro1∣∣ro3∣∣R1]\therefore A_v=-g_{m1}[r_{o1}||r_{o3}||R_1]
  • ex 2.
    • 공통된 노드에 저항이 하나뿐인 경우 1/2로 나누어 해석
    • Av=−RC1/gm+RE/2A_v=-\frac{R_C}{1/g_m+R_E/2}
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Cascode

  • Emitter Degeneracy
    • Rout=[1+gm(RE∣∣rπ)]ro+RE∣∣rπ≃gmro(RE∣∣rπ)R_{out}=[1+g_m(R_E||r_\pi)]r_o+R_E||r_\pi\simeq g_mr_o(R_E||r_\pi)
  • Cascode
    • Vb2V_{b2}로 입력 신호 인가
    • 출력 임피던스 해석시 Q2는 B, E가 그라운드이고 Collector 방향으로 해석하므로 ror_o로 해석
    • Rout=[1+gm1(ro2∣∣rπ1)]ro1+(ro2∣∣rπ1)≃gm1ro1(ro2∣∣rπ1)R_{out}=[1+g_{m1}(r_{o2}||r_{\pi1})]r_{o1}+(r_{o2}||r_{\pi1})\simeq g_{m1}r_{o1}(r_{o2}||r_{\pi1})
    • 출력 임피던스를 증폭시켜 Gain이 증가
  • False Cascode
    • B, C가 그라운드고 Emitter방향으로 해석되므로 Q2는 1/gm2∣∣ro2≃1/gm21/g_{m2}||r_{o2}\simeq 1/g_{m2}로 해석
    • Emitter단 저항이 매우 작은 값이 되어 출력 임피던스는 대략 [1+gm1gm2]ro1[1+\frac{g_{m1}}{g_{m2}}]r_{o1}, 같은 트랜지스터일 경우 출력 임피던스는 약 2배 증가하여 증폭 효과가 거의 없음
  • ex. Practical Cascode
    • Q1, Q2 : npn / Q3 : pnp
    • Q1, Q3은 Collector 방향으로 해석하게 되므로 ror_o로 해석
    • Q1, Q2만 있을 때 R≃gm2ro2(ro1∣∣rπ2)R\simeq g_{m2}r_{o2}(r_{o1}||r_{\pi2})
    • 출력 임피던스 Rout≃ro3∣∣[gm2ro2(ro1∣∣rπ2)]R_{out}\simeq r_{o3}||[g_{m2}r_{o2}(r_{o1}||r_{\pi2})]

Current Mirror

  • IC=ISexp[VBEVT]I_C=I_Sexp[\frac{V_{BE}}{V_T}]
    • ISI_S : saturation current
    • VTV_T : Built-in Voltage
  • VBE=VTlnICISV_{BE}=V_Tln\frac{I_C}{I_S}
  • VBE2=VBE1V_{BE2}=V_{BE1}
  • ∴IC2=ISexp[VBEVT]=IREF\therefore I_{C2}=I_Sexp[\frac{V_{BE}}{V_T}]=I_{REF}

  • current mirror 응용 : 전류 곱하기 / 나누기

  • reference쪽 트랜지스터를 늘리면 전류가 나눠지고, copy쪽 트랜지스터를 늘려주면 전류가 곱해진다.
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BJT 트랜지스터 해석

BJT 트랜지스터 해석

  • Transconductance
    • gmΔICΔVBEICVTg_m\equiv\frac{\Delta I_C}{\Delta V_{BE}}\simeq\frac{I_C}{V_T}
    • Base 전압 입력에 따른 Collector 전류 변화
    • VTkTqV_T\equiv\frac{kT}{q} : built-in potential (통상 26mV)
  • early effect
    • 원래는 saturation 이후 Collector 전압은 전류에 영향을 미치지 않으나, 실제로는 그 영향을 받기 때문에 생김
    • small-signal 회로에서는 저항 ror_o로 해석
    • roΔVCEΔIC=VAICr_o\equiv\frac{\Delta V_{CE}}{\Delta I_C}=\simeq\frac{V_A}{I_C}
  • rπr_\pi : Base-Emitter 사이의 내부 저항 (MOS는 내부적으로 Gate-Source가 끊어져 있어 해석하지 않음)
    • rπΔVBEIBβgmr_\pi\equiv\frac{\Delta V_{BE}}{I_B}\simeq\frac{\beta}{g_m}
  • Common Emitter 증폭기의 Gain Av=gmRoutA_v=-g_mR_{out} : 컬렉터단 저항이 없다면 early effect 저항이 RoutR_{out}이 됨

  • 트랜지스터 임피던스
    • small-signal 해석에서
    • Emitter가 그라운드일 때 Base방향의 임피던스는 rπr_\pi, Collector 방향의 임피던스는 ror_o
    • Base가 그라운드일 때 Emitter방향의 임피던스는 1/gm1/g_m (early effect 무시)

  • 트랜지스터 Gain
    • Common Emitter 증폭기의 Gain
      • Collector단 저항이 없는 경우 gmro-g_mr_o
      • Collector 저항 추가시 gm(roRC)-g_m(r_o||R_C)
    • Emitter Degeneracy : Emitter 저항 추가 시
      • Iro=Ioutgmvπ=Iout+gmvxI_{ro}=I_{out}-g_mv_\pi=I_out+g_mv_x
      • Vout=(Iout+gmvx)ro+(rπRE)IoutV_{out}=(I_out+g_mv_x)r_o+(r_\pi||R_E)I_{out}
      • Rout=Vout/Iout=(1+gm(rπRE))ro+(rπRE)\therefore R_{out}=V_{out}/I_{out}=(1+g_m(r_\pi||R_E))r_o+(r_\pi||R_E) : Emitter 저항에 의해 출력 임피던스 감소
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