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2. pn Admittance - Forward Bias
1. Forward-Bias Admittance
- : Depletion Capacitance + Diffusion Capacitance
- : Depletion Width가 감소하면 는 증가
- Forward Bias
- Forward Bias가 인가되면 Minority Carrier 증가 : Minority Carrier의 응답은 Majority만큼 빠르지 않기 때문에, 전압 인가에 따른 위상차 존재
- Forward Bias 인가 시 Minority Carrier에 의한 커패시턴스 성분 생성 (Diffusion Capacitance)
- 위상차 성분 일부는 Conductance에 영향
- (p농도 > n농도) 접합의 경우
- 고주파 Bias 인가 시 도핑 농도가 Bias를 중심으로 진동하는(위상차가 나타나는) 형태로 나타나게 됨
2. Admittance Relationships
- small signal에 의한 Diffusion Equation
- 가정
- : 도핑 농도 Bias
- : AC 전압에 의한 진폭
- 가정한 해를 대입
-
-
DC :
-
AC :
-
- Boundary Condition
- : Depletion Edge
- Solution : Diffusion Current
- DC :
- AC :
- DC :
3. Forward-Bias Diffusion Admittance
- Small-signal Conducance :
- 일 때,
- 일 때,
- Diffusion Admittance :
- 주파수가 일정 이하 ()일 때는 G, C가 일정하지만, 증가함에 따라 Diffusion에 의한 G는 증가, C는 감소
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